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CMOS晶體振蕩器(XO2016)

所屬分類:


• 外部尺寸: 2.0*1.6*0.75mm • 體積小,可靠性高 • 寬電源電壓: 1.7-3.6V


寬溫度範圍

超小型化

超低抖動

高穩定性

超高頻

產品詳細信息


特點

• 外部尺寸: 2.0*1.6*0.75mm
• 體積小,可靠性高
• 寬電源電壓: 1.7-3.6V

典型應用

• 廣泛應用於工業通信、導航、雷達等領域

• AEC-Q100&AEC-Q200適用

 

尺寸

 

電性能參數

技術指標

3.3V

2.5V

1.8V

Unit

Min

Max

Min

Max

Min

Max

工作電壓 (VDD)

VDD-5%

VDD+5%

VDD-5%

VDD+5%

VDD-5%

VDD+5%

V

輸出頻率

1

125

1

125

1

125

MHz

輸入電流

在15pF負載時

-

25

-

25

-

20

mA

無負載時,1MHz≤ fo<10MHz

-

1.0

-

1.0

-

0.75

mA

無負載時,10MHz ≤ fo<20MHz

-

1.0

-

1.0

-

0.75

mA

無負載時,20MHz ≤ fo<80MHz

-

1.3

-

1.3

-

1.0

mA

無負載時,80MHz ≤ fo<125MHz

-

6

-

6

-

3

mA

占空比

45

55

45

55

45

55

%

輸出電平

輸出高電平

2.97

-

2.25

-

1.62

-

V

輸出低電平

-

0.33

-

0.25

-

0.18

過渡時間:

上升/下降時間

1.25MHz ≤ Fo<10MHz

-

4

-

5

-

6

nSec

10MHz ≤ Fo<20MHz

-

4

-

5

-

6

nSec

20MHz ≤ Fo<80MHz

-

4

-

5

-

6

nSec

啟動時間

-

4

-

5

-

6

mSec

三態
(接Pin1)

啟用(高電平或者懸空)

0.7VDD

-

0.7VDD

-

0.7VDD

-

V

禁用(低電平或接地)

-

0.3VDD

-

0.3VDD

-

0.3VDD

輸出負載

15

15

15

pF

待機電流

-

100

-

100

-

100

uA

老化率 (@ 25 °C,第一年)

-

± 3

-

± 3

-

± 3

ppm

存儲溫度

-55

125

-55

125

-55

125

抖動 (峰峰值)

-

40

-

40

-

40

pSec

相位抖動均方根 (12KHz ~ 20MHZ)

-

40

-

40

-

40

pSec

 

頻率穩定度vs.溫度範圍

溫度 (℃) / ppm

± 20

± 25

± 50

-10 ~ 60

-20 ~ 70

-40 ~ 85

-40 ~ 125

 

⚪: 可提供  ▲: 有條件下提供  ❌: 不可提供

注意: 並非所有選項組合都可提供。其他規格可根據要求提供,規格如有更改,怒不另行通知。


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