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溫補晶體振蕩器(TC5032)

所屬分類:


• 外形尺寸5.0*3.2*1.85mm • 體積小、重量輕 • 覆蓋頻率範圍寬(10MHz到52MHz) • 頻率精度高(±0.1ppm@40~+85°C,±0.2ppm@-40~+105°C)


寬溫度範圍

超小型化

超低抖動

高穩定性

超高頻

產品詳細信息


特征

• 外形尺寸5.0*3.2*1.85mm
• 體積小、重量輕
• 覆蓋頻率範圍寬(10MHz到52MHz)
• 頻率精度高(±0.1ppm@-40~85°C,±0.2ppm@-40~105℃)

典型應用

• 可廣泛應用於工業電子設備和儀器中
 

 

尺寸

 

電性能參數

技術指標 3.3V 2.5V Unit
Min Max Min Max
工作電壓 (VDD) Vdd-5% Vdd+5% Vdd-5% Vdd+5% V
輸出頻率 10 52 10 52 MHz
頻率精確度 (25 °C) - ± 1.0 - ± 1.0 ppm
頻率穩定度 Vs電源電壓 (±5%)  - ± 0.1 - ± 0.1 ppm
Vs負載 (±10%)  - ± 0.05 - ± 0.05
Vs老化率 (@ 第一年) - ± 1.0 - ± 1.0
輸出波形 CMOS  
輸入電流 10 MHz < FO≤ 38 MHZ - 6.5 - 6.5 mA
38 MHz < FO≤ 52 MHZ - 7.5 - 7.5
輸出電平 輸出高電平 90% Vdd - 90% Vdd - V
輸出低電平 - 10% Vdd - 10% Vdd
轉換時間
(10% ~ 90%)
上升時間 - 6.5 - 6.5 納秒
下降時間 - 6.5 - 6.5
占空比 45 55 45 55 %
負載 - 15 - 15 pF
輸出波形 Clipped sine wave

 

技術指標

3.3V

2.5V

Unit.

Min.

Max.

Min.

Max.

輸入電流

10 MHz≤F≤38 MHz

-

4.5

-

4.5

mA

38 MHz<F。≤52 MHz

-

5.0

-

5.0

輸出電平

0.8

-

0.8

-

Vp-p

負載

10KΩ//10pF

10KΩ//10pF

 

三態控製

啟用

80%Vdd

-

80%Vdd

-

V

禁用

-

20%Vdd

-

20%Vdd

啟動時間

-

5

-

5

mSec

壓控範圍(VCTCXO)

0.5

2.5

0.5

2.5

V

牽引範圍(VCTCXO)

±5.0

-

±5.0

-

ppm

壓控輸入阻抗

100

-

100

-

相位噪聲@TCXO
VDD=3.3V,
Fout=20MHz

100 Hz

-122

-122

dBc/Hz

1KHz -142 -142
10KHz -154 -154
100KHz -157 -157
1MHz -159 -159

 

標準頻率是指晶體設計的頻率,並不表示存貨狀況。

* 回流後1小時,在25℃條件下測量的頻率。

 

頻率穩定度vs.溫度範圍

溫度 (℃) / ppm ± 0.05 ± 0.1 ± 0.2 ± 0.28 ± 0.5
-10 ~ +60
-20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +95
-40 ~ +105

 

⚪: 可提供 ▲: 有條件下提供❌: 不提供

注意: 並非所有選項組合都可提供。其他規格可根據要求提供。

規格如有更改,恕不另行通知。


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